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國產(chǎn)高性能碳化硅長晶設備介紹

碳化硅長晶設備






      前   述：碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料的代表，在禁帶寬度、擊穿電場、熱導率、電子飽和速率、抗輻射能力等關鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對高功率、高電壓、高頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子元器件。下游應用領域包括智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏風電、5G通信等，在功率器件領域有碳化硅二極管、MOSFET等已經(jīng)開始商業(yè)化應用。近幾年來我國在第三半導體碳化硅晶體長晶技術方面不斷取得突破已基本達到國外先進水平，整體行業(yè)將迎來中國式高效率高速度發(fā)展模式。


   6英寸感應式長晶爐（Induction Crystal Furnace）




SiC Crystal Growth Equipment

    

   6/8英寸電阻式長晶爐（Resistance Crystal Furnace）

   備    注：本公司可同時提供高純度粉料及相關熱場耗材，同時提供碳化硅襯底、籽晶、試驗片和配套設備貿(mào)易。詳細參數(shù)請致電與我司聯(lián)系！